Curs valutar

16-Feb-2025

1 EURO = 4.9770 RON  
1 USD = 4.7980 RON  


ANPC

 » Panouri solare fotovoltaice



AU570-36V-MH

570W-36V Panou Solar Fotovoltaic de inalta eficienta energetica, 25 ani garantie, 2279*1134*35mm.

AUSTA Energy - AU570-36-MHB

Panou Fotovoltaic (Solar) 570W Mono-Cristalin, iesire 42.07V in sarcina maxima
Rama din alumium eloxat, 35mm. Dimensiuni panou: 2279*1134*35 (mm)
CE, TUV, IEC61215 / IEC61730. Vezi datele tehnice complete in sectiunea Download
producator AUSTA Green Energy

Alte imagini:
Austa stockAU570-36V-MH





Pret vechi fara TVA :
615,00 LEI


Pret nou fara TVA :
490,00 LEI

Pret nou cu TVA 19% :
583,10 LEI

Disponibilitate :
In stoc

ELECTRICAL DATA (STC)  
Model Type AU570-36-MH
Peak Power(Pmax) 570
Maximum Power Voltage(Vmp) 42.07
Maximum Power current(Imp) 13.55
Open Circuit Voltage(Voc) 50.74±3%
Short Circuit Current(Isc) 14.31±3%
Module Efficiency( ﹪ ) 22.06
* STC: irradiance 1000 W/m2, AM 1.5, and cell temperature of 25° C,
   
ELECTRICAL DATA (NOCT)  
Model Type AU570-36-MH
Peak Power(Pmax) 429.0
Maximum Power Voltage(Vmp) 39.51
Maximum Power Current(Imp) 10.85
Open Circuit Voltage(Voc) 48.20±3%
Short Circuit Current(Isc) 11.55±3%
* NOCT: irradiance 800 W/m2, AM 1.5, ambient temperature 20° C, wind speed 1 m/s
   
TEMPERATURE & MAXIMUM RATING
Maximum System Voltage(V) 1500
Maximum Series Fuse Rating(A) 25A
Power Tolerance 0~ +3﹪W
Pmax Temperature Coefficients(W/℃ ) -0.350﹪/° C
Voc Temperature Coefficients(V/℃ ) -0.250﹪/° C
Isc Temperature Coefficients(A/℃ ) +0.046﹪/° C
NOCT Nominal Operating Cell Temperature(℃ ) 45±2° C
Operating and Storage Temperature(℃ ) -40 ~ +85
   
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Cell Type 182x91 Mono
No. of Cells 144(12x12)
Dimensions 2279x1134x35
Weight 28.40kg
Front Glass 3.2mm high transmission, low iron, tempered glass
Frame Anodized Aluminium Alloy
Junction box IP67/IP68 3diodes
Output cables 4mm² cable 35cm (including connector MC4)
MaxWind Load/Snow Load 2400Pa/5400Pa
   

ADVANTAGES

The ultra-thin tunnel layer, N-type poly-Si thin film layer can greatly reduce the loss caused by carrier recombination.
Cell conversion efficiency is up to 25%.

N type silicon wafer no B-O complex
The first-year degradation rate 1%, annual linear degradation rate 0.4%, life cycle ≥30 years.

Utilizăm cookie-uri pentru a îmbunătăți experiența site-ului și pentru a analiza traficul și publicul pe site. Continuând să navigați pe site-ul nostru, sunteți de acord cu acceptarea utilizării cookie-urilor în conformitate cu Politica de utilizare a cookie-urilor, de acord cu Politica de prelucrare a datelor personale și ați notat Notă de procesare a informațiilor personale. Accept